1944

geboren in Zlin, Tschechoslowakei

Ausbildung

1961 – 63

Fakultät für Mathematik und Physik der Karls Universität in Prag (MFF UK).

1963 – 67

Fakultät für Physik an der Lomonosov Staats Universität in Moskau (MSU)

Examen an der MFF UK

1967

Spezialität: Experimentelle Physik

1974 – 77

Studium für das Doktorat am Institut für Physik der Tschechischen Akademie für Wissenschaften, Prag.

Spezialität: solid-state physics, Luminiszenz.

Erfahrung

1967 – 93

TESLA-Forschungsinstitut für Radiokommunikation in Prag.

Spezialität: R&D of technology and measurement of modern semiconductor devices

(Laborleitung)

1967 – 80

LEDs und Displays (together with transferring the technology into production in TESLA Vrchlabí during 1975-80)

1980 – 86

High-speed digital integrated circuits on GaAs

1985 – 90

ICs on GaAs for optoelectronics

1987 – 93

Technology of IC packaging

1993 – 98

P-sensor Ltd., Prague

Spezialität: R&D and production – technology and measurement of semiconductor silicon pressure sensors

1998 –

Institut für Physik an der Akademie für Wissenschaften in Prag

Spezialität: research of technology and properties of devices on semiconductor epitaxial structures,

lithographic techniques, building of the laboratory for photolithography